IR最新MOSFET芯片组提升两相DC-DC降压转换器效率-[db:标签3]

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  国际整流器公司(ir)近日推出两款新型30vhexfet功率mosfet,可将30v/45a两相同步降压转换器mosfet解决方案的轻负载效率提升2%,用来驱动笔记本电脑及其他高性能计算应用中的intel和amd最新型处理器。

  这两款新型无铅器件分别是irf7823pbf和irf7832zpbf,通过优化传导、开关和体二极管损耗,可实现最佳的效率和功率密度。两款器件可用作每相需要一个控制和2个同步mosfet的两相同步降压转换器电路芯片组。这组新型so-8mosfet还适用于其他采用pwm控制的dc-dc降压转换器应用。

  ir中国及香港销售总监严国富表示:“中低功率水平下,高效率对笔记本电脑非常重要,因为它们是最主流的电池驱动产品。我们的全新芯片组可以针对这方面的需要,在5-15a的范围内将效率提升2%。新器件还可以降低功率损耗,从而降低系统的工作温度,这一点对便携式计算也相当重要。”

  新的芯片组包含一个控制mosfet和一个同步mosfet,每个器件都经过专门设计,以发挥其最大效能。控制mosfet具有更低的开关损耗(栅电荷),同步mosfet则具有低传导损耗(低导通电阻)及低逆向恢复电荷。

  irf7823pbf是一款经过优化的控制场效应管(fet),栅电荷(qg)和栅-漏极电荷(qgd)都非常低,分别只有9.1nc和3.2nc。

  irf7832zpbf对同步fet功能进行了优化,4.5v下的典型导通电阻极低,只有3.7m?,适用于高达12a的应用环境。irf7823pbf和irf7832zpbf现在均已供货。以1万片订货量计算,irf7823pbf每片0.5美元,irf7832zpbf为0.88美元,价格会有所变动。两种器件均为无铅产品,符合有害物质管理规定(rohs)。



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